Tăng quỹ 15 tháng 9 2024 – 1 tháng 10 2024
Về việc thu tiền
tìm kiếm sách
sách
Tăng quỹ:
67.7% đạt
Đang nhập
Đang nhập
Người dùng đã xác minh danh tính được phép:`
nhận xét cá nhân
Telegram bot
Lịch sử download
gửi tới email hoắc Kindle
xóa mục
lưu vào mục được chọn
Cá nhân
Yêu cầu sách
Khám phá
Z-Recommend
Danh sách sách
Phổ biến
Thể loại
Đóng góp
Quyên góp
Lượt uload
Litera Library
Tặng sách giấy
Thêm sách giấy
Search paper books
LITERA Point của tôi
Tìm từ khóa
Main
Tìm từ khóa
search
1
Фотоэлектрические свойства наноструктур GeSi/Si
Филатов Д.О.
,
Исаков М.А.
,
Круглова М.В.
gesi
островков
рис
роста
phys
наноостровков
методом
области
слоя
носителей
основе
поверхности
наноостровками
состояний
спектра
энергии
островках
фпэ
дырок
млэ
appl
гетероструктур
структур
электронов
подложки
dge
geh4
островки
типа
плотность
спектров
структуры
связи
островками
шоттки
зависимость
поглощения
процессе
gexsi1
проводимости
барьера
гфэ
зависимости
переходов
спектры
дислокаций
зоне
оптических
островка
слое
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 3.79 MB
Các thể loại của bạn:
0
/
0
russian
2
Инсулин и радиация
Издательский дом "Белорусская наука"
Гацко Г.Г.
,
Милевич Т.И.
облучения
инсулина
крыс
мес
крови
животных
железы
поджелудочной
глюкозы
дозе
облученных
клеток
сут
содержание
организма
введения
гормона
стрептозотоцина
воздействия
инсулин
облучение
уровня
интактные
изменения
островков
стрептозотоцин
облученные
сроки
сутки
ммоль
функции
лучевой
островках
уровень
влияние
диабета
печени
эффект
контроль
ткани
концентрации
концентрация
лучевого
организме
состояние
действия
радиации
снижение
активности
секреции
Năm:
2014
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 1.20 MB
Các thể loại của bạn:
0
/
0
russian, 2014
3
Рост Ge(Si) самоформирующихся наноотростков на подложках Si(001) методом молекулярно пучковой эпитаксии
Лобанов Д.Н.
,
Новиков А.В.
,
Шалеев М.В.
роста
островков
поверхности
напряжений
упругих
пленки
энергии
происходит
рис
подложки
счет
островка
приводит
температуры
поверхностной
материала
островки
камеры
релаксация
релаксации
димеров
крастанова
механизму
странского
температурах
увеличение
образование
осаждения
системы
слоя
уменьшению
носителей
образования
параметров
пленке
результате
gexsi1
зависимости
заряда
самоформирующихся
структур
типа
увеличением
уменьшение
gesi
атомов
дивакансий
количества
островках
плотности
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 421 KB
Các thể loại của bạn:
0
/
0
russian
1
Đi tới
đường link này
hoặc tìm bot "@BotFather" trên Telegram
2
Xin gửi lệnh /newbot
3
Xin nêu tên cho bot của bạn
4
Xin nêu tên người dùng cho bot
5
Xin copy tin nhắn gần đây từ BotFather và dán nó và đây
×
×